http://eetimes.jp/article/22653/
【IEDM 2008】ナノワイヤー利用でバッテリの蓄電容量を10倍に、米スタンフォード大学が発表（2008/12/19）
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米Stanford University（スタンフォード大学）は、米カリフォルニア州サンフランシスコで2008年12月15日～17日の日程で開催された半導体素子の国際学会「2008 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2008）」で、次世代システムに向けてナノワイヤーを利用したバッテリ技術を発表した。
同大学は、バッテリの電極にナノワイヤーを適用した。同大学によれば、シリコン（Si）材料とゲルマニウム（Ge）材料をベースにしたナノワイヤーを利用することで、グラファイト（黒鉛）によるアノード（陰極）を使う現行のバッテリに比べて、電荷蓄積容量を10倍程度に高められるという。
同大学の論文によれば、「放電容量は約3100mAh/gが得られており、10回の充放電サイクルで若干低下した。クーロン効率は90％を超えている」という。
同大学は、LSIに集積するオンチップ電源に向けて、シリコン・ナノワイヤーによるバッテリの電極を作製するCMOSプロセスを開発した。こうしたチップを実現するため、同大学は4インチ・サイズのマスクを覆う微粒子の単分子層も開発したという。
この微粒子はエッチング用マスクとして機能する。直径は、反応性イオン・エッチング（RIE：Reactive Ion Etching）を使って調整する。RIEは、垂直方向のナノピラー（微小柱）を50n～100nm間隔で作製するのにも使われるという。
（Mark LaPedus：EE Times、翻訳/編集：EE Times Japan）
http://net.eetimes.jp/?4_105606_2148_3
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