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2008/06/11

6月5日特許公開:特開2008-127232 水素化非多孔性炭の製造方法

公開日 2008-06-05 出願人 アドバンスト・キャパシタ・テクノロジーズ株式会社 (504216723)
東京都昭島市武蔵野三丁目1番2号 発明者 竹内 誠
東京都昭島市武蔵野三丁目1番2号 アドバンスト・キャパシタ・テクノロジーズ株式会社内

要約
【課題】炭素材料を構成する、マルチグラフェンの末端にアロマティックリングプロトン(炭素骨格に直接結合した水素)を多く残し、カルボン酸残基を極力生成させないような水素化非多孔性炭の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の水素化非多孔性炭の製造方法は、(a)多層グラフェン微結晶が発達した易黒鉛化炭を650~900℃で乾留し、か焼炭を得る工程と、(b)得られた、か焼炭を苛性アルカリと共に800~900℃でアルカリ賦活する工程と、(c)アルカリ賦活された、か焼炭を空気中の酸素に触れることなく、500℃以下で水蒸気処理する工程と、(d)次いで、残存するアルカリを除去して非多孔性炭を得る工程と、(e)得られた非多孔性炭を、水素を含む還元性雰囲気中で、650~900℃で処理し、水素化非多孔性炭を得る工程と、を有することを特徴とする。

詳細は、http://www.ultra-patent.jp/DataView/FullText2.aspx


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